Инновации.

       Источник изображения: iot.ru

       Как рассказали в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете (СПбГЭТУ) ？ЛЭТИ？ имени В. И. Ульянова (Ленина), широко распространенная и недорогая кремниевая вычислительная техника сегодня подходит к пределам своих возможностей по компактности, быстродействию и надежности. Осознавая это, научные группы по всему миру ищут новые более эффективные материалы и принципы работы компьютеров. Петербургский вуз в этом плане не исключение.

       По мнению ученых СПбГЭТУ ？ЛЭТИ？, одно из перспективных направлений поиска – разработка мемристоров. Эти наноразмерные электрические элементы способны под действием напряжения изменять значение своего сопротивления и ？запоминать？ новое состояние на длительное время. При этом, чтобы ？хранить？ заданный уровень сопротивления (резистивного состояния), таким устройствам не нужно потреблять энергию, благодаря чему можно создавать миниатюрные и энергонезависимые элементы с функциями и обработки, и хранения информации.

       Разработанная схемотехническая модель описывает функционирование и характеристики пленочных структур на основе материалов, перспективных для создания мемристоров, с учетом вариабельности их основных параметров с целью повышения точности результатов моделирования и эффективности проектирования устройств, использующих мемристоры в качестве элементной базы, прежде всего, нейроморфных вычислительных устройств, принципы функционирования которых подобны алгоритмам работы мозга, — прокомментировал профессор кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ) СПбГЭТУ ？ЛЭТИ？ Евгений Рындин.

       Материалы и структуры мемристоров синтезировала группа ученых под руководством доцента кафедры МНЭ СПбГЭТУ ？ЛЭТИ？ Натальи Андреевой.

       Данные соединения представляют собой нанослоевые композиции в виде последовательности слоев оксидов алюминия и титана, синтезированных методом атомно-слоевого осаждения. Они обеспечивают многоуровневую перестройку резистивного состояния в широком диапазоне величин для нового поколения памяти в нейроморфных архитектурах, — пояснили в пресс-службе вуза.

       В СПбГЭТУ ？ЛЭТИ？ также отметили, что для разработки эквивалентной схемы и соответствующей системы уравнений ученые вуза в ходе экспериментов измерили основные характеристики синтезированных структур и провели анализ протекающих в них физических процессов. Реализацию и апробацию предложенной модели исследователи выполнили в среде MATLAB. Сейчас ученые стараются интегрировать модель мемристоров в библиотеки SPICE-моделей, которые широко используют исследователи и разработчики во всем мире.

       Татьяна Даченкова