МОСКВА, 29 ноября. /ТАСС/. Ученые Национального исследовательского университета "МЭИ" (НИУ "МЭИ") создали новый источник излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне длин волн (ЭУФ) с помощью добавления лития в гелиевый плазменный заряд. Разработка позволит усовершенствовать технологию литографии микросхем, уменьшить их размеры и увеличить быстродействие, говорится в сообщении НИУ "МЭИ".

       "В МЭИ разработали экспериментальный образец источника излучения в экстремальном ультрафиолете. Эксперименты с добавлением лития в гелиевый плазменный разряд показали возможность создания стационарного источника, востребованного технологией ЭУФ-литографии, которая применяется в микроэлектронике для уменьшения характерных размеров элементов схем, в результате чего увеличивается их быстродействие и уменьшается размер изделия", - говорится в сообщении.

       Экспериментальный комплекс и источник излучения на его основе разработаны коллективом ученых на кафедре общей физики и ядерного синтеза НИУ "МЭИ". Отмечается, что новый источник имеет повышенный КПД по сравнению с существующими источниками ЭУФ-излучения.

       "Новые решения, разработанные нашими учеными, направлены на создание отечественного производства элементов интегральных схем для микроэлектроники и связаны с задачами технологического суверенитета России", - отметил ректор НИУ "МЭИ" Николай Рогалев, его слова приводятся в сообщении.