用户名/邮箱
登录密码
验证码
看不清?换一张
您好,欢迎访问! [ 登录 | 注册 ]
您的位置:首页 - 最新资讯
Усовершенствованы платформы для энергоэффективных систем
2025-01-21 00:00:00.0     НАУКА(科学)     原网页

       

       МОСКВА, 21 января. /ТАСС/. Российские исследователи разработали технологию, которая усовершенствует полупроводниковые платформы для электроники нового поколения и приблизит создание новых энергоэффективных систем. Об этом сообщили ТАСС в пресс-службе Национального исследовательского центра "Курчатовский институт".

       Вместе с коллегами из НИЯУ МИФИ ученые Курчатовского института предложили новый подход к объединению в одном устройстве магнитного материала (оксида европия, EuO) и полупроводниковой платформы на базе арсенида галлия (GaAs). Такая составная система в будущем может стать основой новых энергоэффективных устройств, использующих технологии спинтроники. Авторы решили проблему совместимости ее элементов - устранили неуправляемые химические процессы, которые возникали на границе (интерфейсе) двух материалов.

       "Новый подход позволил подавить нежелательные реакции за счет контроля над структурой интерфейса на начальном этапе синтеза. Предложенная стратегия универсальна и позволит в будущем получить большое разнообразие гетероструктур с уникальными свойствами, которые будут востребованы для создания энергоэффективных устройств", - уточнили в научном центре.

       Обнаруженные недавно в оксиде европия магнитные квазичастицы позволяют управлять свойствами материала с помощью малых магнитных полей и света. Арсенид галлия выступает естественным кандидатом для интеграции с EuO, однако ученым пока не удавалось объединить их напрямую в одной системе без использования буферных слоев других материалов. Российские ученые смогли реализовать этот подход благодаря модификации поверхности арсенида галлия оксидом европия и новой технологии синтеза структур.

       "Современная полупроводниковая электроника близка к своему технологическому пределу. В настоящее время востребованы новые материалы и структуры, позволяющие создавать компактные элементы электроники с низким потреблением энергии. С одной стороны, они должны задействовать разработанные полупроводниковые технологические платформы, а с другой - обеспечивать функциональность за счет новых свойств", - отметил руководитель проекта Дмитрий Аверьянов, чьи слова приводит пресс-служба института.

       Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда, опубликованы в журнале Journal of Alloys and Compounds.

       


标签:综合
关键词: подход     европия     платформы     энергоэффективных устройств     новый     материалов    
滚动新闻